扩散炉

气源供给

液态源\固态源扩散,隐埋扩散

干、湿氧化及氢氧合成氧化

外燃式氢氧合成氧化，确保大尺寸硅片上氧化膜的均匀性

退火及合金工艺

微控或程控方式

根据用户要求配制气路

连接方式 ：双卡套、VCR可选择

自控系统

触摸屏操作,无需键盘鼠标

精美的操作界面

关键部件运行的图形显示

完整可靠的工艺控制程序

串级控制,可准确控制反应管的实际工艺温度(可选择)

恒温区自调整

可存储100多条工艺曲线(微控系统)

安全可靠的氢氧合成保护(不同型号配置不同)

主要技术指标

炉膛尺寸： 适用于2"～8"硅片

恒温区长度：800mm、600mm、400mm

恒温精度： ≤±0.5℃(800℃～1280℃)

恒温区稳定性：≤±0.5℃/24h(800℃～1280℃)

最大降温速率：炉温高于1000℃, 6℃/Min

炉温高于600℃, 3℃/Min